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IRFI4510GPBF中文资料

  • 大小：6KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N CH 100V 35A TO220
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：35A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：13.5 毫欧 @ 21A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：81nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2998pF @ 50V
  • 功率 - 最大：42W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装：TO-220AB 整包
  • 包装：管件

IRFI4510GPBF供应商

更新时间:2023-01-30 09:35:55
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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